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兩會提案:功率半導(dǎo)體將成為“中國芯”的最好突破口

隨著中美科技較量短兵相接,兩會上代表委員們關(guān)于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的提案和建議備受矚目。其中民進中央擬提交“關(guān)于推動中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展的提案”。

提案表示,近年來,國家出臺了一系列政策措施支持和推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,取得了較為突出的成效,已基本完成了產(chǎn)業(yè)鏈的布局,且在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域呈現(xiàn)多點開花的良好形勢。
但是,當(dāng)前從全球功率半導(dǎo)體市場看,一方面?zhèn)鹘y(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體仍然有巨大的發(fā)展空間,有研究顯示全球市場的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導(dǎo)體芯片市場應(yīng)用量是約3億多美金,硅材料功率半導(dǎo)體芯片市場應(yīng)用量超過200億美金。國際市場的IGBT芯片主流是硅材料5代、6代及7代產(chǎn)品,國際功率半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為,硅材料功率半導(dǎo)體材料已經(jīng)有30多年的大規(guī)模市場應(yīng)用驗證,穩(wěn)定可靠,價格低,尚有技術(shù)發(fā)展空間等特點,在未來至少7至8年左右仍是市場應(yīng)用主流。另一方面以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料正蓬勃發(fā)展,而我國碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體器件研發(fā)起步晚,在技術(shù)上仍有很大差距??上驳氖牵趪叶囗椏蒲杏媱澋姆龀窒?,這方面已經(jīng)大幅縮小了與國際的技術(shù)差距,并取得了不少成就。
隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切,我國功率半導(dǎo)體有龐大的市場需求,容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù),在國家政策利好下,功率半導(dǎo)體將成為“中國芯”的最好突破口。

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