隨著中美科技較量短兵相接，兩會上代表委員們關(guān)于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的提案和建議備受矚目。其中民進中央擬提交“關(guān)于推動中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展的提案”。

提案表示，近年來，國家出臺了一系列政策措施支持和推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，取得了較為突出的成效，已基本完成了產(chǎn)業(yè)鏈的布局，且在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域呈現(xiàn)多點開花的良好形勢。
但是，當(dāng)前從全球功率半導(dǎo)體市場看，一方面?zhèn)鹘y(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體仍然有巨大的發(fā)展空間，有研究顯示全球市場的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導(dǎo)體芯片市場應(yīng)用量是約3億多美金，硅材料功率半導(dǎo)體芯片市場應(yīng)用量超過200億美金。國際市場的IGBT芯片主流是硅材料5代、6代及7代產(chǎn)品，國際功率半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為，硅材料功率半導(dǎo)體材料已經(jīng)有30多年的大規(guī)模市場應(yīng)用驗證，穩(wěn)定可靠，價格低，尚有技術(shù)發(fā)展空間等特點，在未來至少7至8年左右仍是市場應(yīng)用主流。另一方面以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料正蓬勃發(fā)展，而我國碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體器件研發(fā)起步晚，在技術(shù)上仍有很大差距?？上驳氖牵趪叶囗椏蒲杏媱澋姆龀窒?，這方面已經(jīng)大幅縮小了與國際的技術(shù)差距，并取得了不少成就。
隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國功率半導(dǎo)體有龐大的市場需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù)，在國家政策利好下，功率半導(dǎo)體將成為“中國芯”的最好突破口。