隨著中美科技較量短兵相接，兩會(huì)上代表委員們關(guān)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的提案和建議備受矚目。其中民進(jìn)中央擬提交“關(guān)于推動(dòng)中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展的提案”。

提案表示，近年來(lái)，國(guó)家出臺(tái)了一系列政策措施支持和推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，取得了較為突出的成效，已基本完成了產(chǎn)業(yè)鏈的布局，且在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域呈現(xiàn)多點(diǎn)開花的良好形勢(shì)。
但是，當(dāng)前從全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)看，一方面?zhèn)鹘y(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體仍然有巨大的發(fā)展空間，有研究顯示全球市場(chǎng)的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)應(yīng)用量是約3億多美金，硅材料功率半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)應(yīng)用量超過(guò)200億美金。國(guó)際市場(chǎng)的IGBT芯片主流是硅材料5代、6代及7代產(chǎn)品，國(guó)際功率半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為，硅材料功率半導(dǎo)體材料已經(jīng)有30多年的大規(guī)模市場(chǎng)應(yīng)用驗(yàn)證，穩(wěn)定可靠，價(jià)格低，尚有技術(shù)發(fā)展空間等特點(diǎn)，在未來(lái)至少7至8年左右仍是市場(chǎng)應(yīng)用主流。另一方面以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料正蓬勃發(fā)展，而我國(guó)碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體器件研發(fā)起步晚，在技術(shù)上仍有很大差距。可喜的是，在國(guó)家多項(xiàng)科研計(jì)劃的扶持下，這方面已經(jīng)大幅縮小了與國(guó)際的技術(shù)差距，并取得了不少成就。
隨著工業(yè)、汽車、無(wú)線通訊和消費(fèi)電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國(guó)功率半導(dǎo)體有龐大的市場(chǎng)需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù)，在國(guó)家政策利好下，功率半導(dǎo)體將成為“中國(guó)芯”的最好突破口。